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关赫
2018-11-09 21:22   审核人:

基本信息

姓名:关赫

职称:助理教授

学科:电子科学与技术、微电子学与固体电子学

通信地址:西安市长安区东祥路129号电子信息学院217

邮编:710129

E-mailhe.guan@nwpu.edu.cn

研究方向

1.智能集成系统设计

2.微纳器件与集成电路设计

教育背景

2002-2006年,西安电子科技大学,学士

2006-2009年,西安电子科技大学,硕士

2013-2016年,西安电子科技大学,博士

工作履历

20167月——至今,西北工业大学,助理教授

开设课程

本科生:大规模集成电路CAT

科研工作

主要从事智能集成系统、微纳器件与集成电路设计等方面的研究工作,参加和主持多项基金项目。

  1. 陕西省自然科学基金青年项目,InAs/AlSb HEMT器件工艺改进方法与噪声模型研究,主持;

  2. 国家自然科学基金面上项目,基于磁通门信号检测机制的光寻址电位传感器研究,参加;

  3. 中央高校基本业务费项目,InAs/AlSb HEMTs器件噪声模型研究,主持,结题;

主要论著及代表性论文

发表SCI检索期刊论文7篇,其中第一作者论文5篇;申请发明专利5项。代表性学术成果如下:

  1. *He Guan, Hongliang Lv, Hui Guo and Yuming Zhang, Small-signal modeling with direct parameter extraction for impact ionization effect in HEMTs, Journal of applied physics, 118, 195702 (2015)SCI:000367722400032

  2. *He Guan, Hongliang Lv, Yuming Zhang, and Yimen Zhang, Improved modeling on the RF behavior of InAs/AlSb HEMTs, Solid-State Electronics 114 115, (2015)SCI:000363193300027

  3. *Guan He, Lv Hong-Liang, Guo Hui, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, and Wu Li-Fan, Interfacial and electrical characteristics of HfO2/n–InAlAs MOS-capacitor with different dielectric thickness, Chin. Phys. B 24 126701 (2015) SCI:000366977800048

  4. Chengji Jin, Hongliang Lv, Yuming Zhang and He Guan, Study on reverse-biased gate leakage current mechanisms in Al2O3 /InAlAs metal-oxide-semiconductor structures, Thin Solid Films, 619: 48~52 (2016)

  5. Chengji Jin, Hongliang Lv, Yuming Zhang, Yimen Zhang, and He Guan, Transport mechanisms of leakage current in Al2O3 /InAlAs MOS capacitors, Solid-State Electronics, 123: 106~110 (2016)

  6. *Guan He, Guo Hui, An optimized fitting function with least square approximation in InAs/AlSb HFET small-signal model for characterizing the frequency dependency of impact ionization effect, Chin. Phys. B, 26, 5,058501, (2017)

  7. *Guan He, Hongliang Lv, Study on leakage current mechanism and band offset of high-k/n-InAlAs metal-oxide-semiconductor capacitors with HfO2 and HfAlO dielectric, Thin Solid Films, 661, 137-142 (2018)

  8. 一种高电子迁移率晶体管及制备方法 201611090387.X (专利)

  9. Ku波段低噪声放大器 201611090968.3 (专利)

  10. 一种杂化太阳能电池的制备方法 201611090967.9 (专利)

  11. 一种石墨烯的外延生长设备 201711184193.0 (专利)

  12. 一种可调谐垂直腔面发射激光器的制备方 201710045602.2 (专利)

 

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