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汪瑛
2018-11-12 21:23   审核人:

基本信息

姓名:汪瑛

职称:助理教授

学科:电子科学与技术、微电子学与固体电子学

通信地址:西安市长安区东祥路129号电子信息学院217

邮编:710129

E-mailyingwang@nwpu.edu.cn

研究方向

1. 基于宽禁带材料的太赫兹振荡源,探测器研究

2. 基于宽禁带材料的电子电子器件研究,如HEMT, MOSFET

3. 基于宽禁带材料其他创新型器件,如pH传感器等等。

教育背景

2007-20011年,西安电子科技大学,学士

2011-2012年,西安电子科技大学,硕士

2011-2016年,西安电子科技大学,博士

2014-2015年,日本德岛大学,联合培养博士

工作履历

20189月——至今,西北工业大学,助理教授

科研工作

主要从事基于宽禁带材料的太赫兹器件,微纳器件等方面的研究工作。

   中央高校基本业务费项目,太赫兹波段GaN平面耿氏二极管研究,主持。

   主要论著及代表性论文

1. Ying Wang, Lin’an Yang, Wei Mao, Shuang Long, Yue Hao. Modulation of multidomain in AlGaN/GaN HEMT-like planar Gunn diode[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60(5): 1600-1606.

2. Ying Wang, Lin’an Yang, Zhi Zhe Wang, Qing Chen, Yong Hong Huang, Yang Dai, et al. Ultra-short channel GaN high electron mobility transistor-like Gunn diode with composite contact[J]. Journal of Applied Physics. 2014, 116(9): 094502.

3. Ying Wang, Lin’an Yang, Zhi Zhe Wang, Jin Ping Ao, Yue Hao. The modulation of multi-domain and harmonic wave in a GaN planar Gunn diode by recess layer[J]. Semiconductor Science and Technology. 2015, 31(2): 025001.

4. Ying Wang, Lin’an Yang, Zhi Zhe Wang, Jin Ping Ao, Yue Hao. The enhancement of the output characteristics in TheGaN based multiple-channel planar Gunn diode[J]. Physica Status Solidi (a). 2015, 213(5): 1252-1258.

5. Ying Wang, Lin’an Yang, Zhi Zhe Wang, Yue Hao. Modulation of the domain mode in GaN-based planar Gunn diode for terahertz applications[J]. Physica Status Solidi (c). 2016, 13(5-6): 382-385.

6. Ying Wang, Lin’an Yang, Yue Hao. Terahertz oscillation in GaN HEMT-like BEAN diode with a composite contact[C]// International workshop on Junction Technology. 2014: 1-4.

7. Ying Wang, Lin’an Yang, Zhi Zhe Wang, Jin Ping Ao, Yue Hao. The modulation of the GaN based planar Gunn diode for terahertz applications. The 11thInternation Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-11), 2015. 9, Beijing China

8. Ying Wang, Lin’an Yang, Jin Ping Ao, Yue Hao. Thermal analysis on a vertical GaN Gunn diode. the 62nd JSAP Spring Meeting, 2015. 3, Yokohama, Japan

9. Lin’an Yang, Yue Li, Ying Wang, Sheng Rui Xu, and Yue Hao. Asymmetric quantum-well structures for AlGaN/GaN/AlGaN resonant tunneling diodes[J]. Journal of Applied Physics. 2016, 119(16):164501

10.Yong Hong Huang, Ying Wang*, Lin’an Yang, Hui Fang Zhai. A numerical analysis on the thermal effect in GaN based Gunn diode[C]//IEEE international conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. IEEE, 2014. (EI: 20151300677219)

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